《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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年度被引次数报告 (学术成果产出及被引变化趋势)

• 系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案

  提出了一种面向系统级封装（SiP）的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系...

  作者：黄晓宗; 干旭春; 刘凡; 刘志伟; 黄文刚; 朱冬梅; 王国强; 成辉 刊期： 2018年第02期

• 窄带Dither技术在流水线ADC中的校正研究

  随着工艺和技术的不断发展,对ADC的无杂散动态范围（SFDR）的要求越来越高。提出了一种窄带Dither技术来改善流水线ADC的SFDR。介绍了Dither的原理和产生电路。基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计了一种12位100 MS/s ADC。在该ADC中运用了Dither技术,并对Dither技术的运用效果进行了仿真与验证。结果表明,当输入信号幅度为63.25mV、频率为9.325 MHz、...

  作者：赵洪明; 闫肃; 靳翔; 王兴华; 陈铖颖 刊期： 2018年第02期

• 基于0.13μm CMOS工艺的14位50MS/s流水线ADC

  设计并实现了一种14位50 MS/s流水线ADC。采用无采保放大器的前端电路和运放共享技术,在达到速度及精度要求的同时降低了功耗。该流水线ADC采用0.13μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.7mm×2.1mm。在电源电压为1.2V、采样速率为50 MS/s、模拟输入信号频率为28 MHz的条件下进行测试。结果表明,该ADC的功耗为91.2mW,SFDR为82.39dBFS,SNR为72.45dBFS,S...

  作者：詹勇; 石红; 魏娟; 周晓丹; 郭亮 刊期： 2018年第02期

• 一种用于前台校准的8位高线性度DAC

  设计了一种用于12位折叠插值ADC前台校准的高线性度DAC。该DAC包括电流源、开关电路、译码电路和电流-电压转换器。电流-电压转换器采用带共模反馈和增益提高技术的运放,具有高的共模抑制比和高的输出线性度。电流源的版图设计中考虑了电流源匹配特性,提出了＂V＂型布局方案,有效抑制其梯度误差和对称误差,提高了DAC转换线性度。在TSMC 0.18μm C...

  作者：邓红辉; 周福祥; 付年华; 付振达 刊期： 2018年第02期

• 一种带高阶补偿的低温漂基准电压源

  在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10–6/℃。

  作者：田金鹏; 秦少宏; 李儒章; 臧剑栋; 彭毅德 刊期： 2018年第02期